集成电路作为电子产品的核心部件,其质量的好坏直接决定了整个电子产品的性能和可靠性。在集成电路制造过程中的硅氧化、光刻、外延、扩散和引线蒸发等诸多工序前,硅片表面的污染物和自身氧化物将通过物理或化学的方法去除,以获得符合清洁度要求的硅片,但也会因此而产生大量的废水。
清洗废水中的主要污染物为高浓度悬浮颗粒物、酸碱污染及重金属离子等。清洗后的废水水质几乎与进水水质相同,将其作为废水排放,会造成资源浪费,增加生产成本。
莱特莱德在传统的水解酸化+接触氧化的工艺路线上延伸出废水近零排放工艺。系统采用MBR膜作为预处理的保安关卡,确保预处理出水水质的优良稳定。膜浓缩系统配合催化氧化技术及ACF吸附模块,将被浓缩、富集的COD去除到可接受范围内,以确保MVR和膜系统不容易被堵塞,并始终保持高效和稳定的运行。
莱特莱德集成电路清洗废水回用系统的工艺优势:
1、MBR膜池维持高浓度的微生物量,处理装置容积负荷高,占地面积小。
2、运用膜法处理工艺,将生产废水分类收集、处理,然后再次回用于生产线。
3、系统设置实时在线监测装置,确保系统能长期稳定运行。
莱特莱德采用膜系统进行废水浓缩减量,可实现98%的收率。有效去除清洗废水中铜、钒、镍、铬等重金属,处理效果显著。不仅可实现高效、快速清洗,增强清洗半导体晶圆的效果,且可降低水资源的浪费。